Noua unitate de producție a companiei Intel
Fab 24 produce wafere de 300 mm pe baza tehnologiei la 90 nanometri (nm) a Intel și este a patra unitate de producție la 300 mm a companiei.
În plus, aceasta este cea de-a treia unitate de producție a Intel care produce semiconductori cu circuite de 90 nm în diametru.
„Aceasta noua unitate de producție este o dovada a deciziei Intel de a se concentra asupra obținerii unor capacitați de producție de mare volum și de înalta performanța,” a declarat Craig Barrett, Intel chief executive officer.
Aceste wafere de 300 mm asigura scaderea costurilor de producție, reducînd astfel costurile per componente individuale cu aproximativ 30%.
În plus, noua tehnologie va utiliza cu 40% mai puțina energie și apa pentru fiecare cip, în comparație cu tehnologiile de generație anterioara. Procesul de producție la 90 nm permite dublarea densitații tranzistorilor pe un cip integrat de aceeași dimensiune.
De asemenea, în premiera absoluta în domeniu, se folosește o tehnologie numita „strained silicon”, care va permite obținerea unor tranzistori cu viteze superioare.
Aceasta tehnologie este utilizata pentru a crește nivelul de performanța, dar poate fi utilizata și pentru a scadea nivelul de energie, daca nu este necesara obținerea unui nivel sporit de performanța.
Intel produce semiconductori în Irlanda înca din anul 1990. Alte unitați de producție Intel la 300 mm se afla în Hillsboro, Oregon (D1C și D1D) și Rio Rancho, New Mexico (Fab 11X).
Mediafax Business/ IT